In der vorliegenden Arbeit wurde die bisher erfolgreich zur elektrischen Charakterisie-rung der Gruppe IV-Halbleiter Si und SiC eingesetzte Methode der Radiotracer-DLTS erst-malig auch auf die Lösung aktueller Problemstellungen der III-V-Halbleiter GaAs und GaN übertragen. Durch die Ausnutzung der Elementumwandlung...