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Dissertation
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2004-11-09

Elektrische Charakterisierung von Störstellen in den III-V-Halbleitern...

In der vorliegenden Arbeit wurde die bisher erfolgreich zur elektrischen Charakterisie-rung der Gruppe IV-Halbleiter Si und SiC eingesetzte Methode der Radiotracer-DLTS erst-malig auch auf die Lösung aktueller Problemstellungen der III-V-Halbleiter GaAs und GaN übertragen. Durch die Ausnutzung der Elementumwandlung...