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Dissertation
2008-07-09

Wide band gap materials and devices for NOx, H2 and O2 gas sensing applications

Im Rahmen dieser Arbeit sind Feldeffektgassensoren (Schottky Dioden, MOS Kapazitäten, und MOSFET Transistoren) auf der Basis von Halbleitern mit großer Bandlücke (Siliziumkarbid (SiC) und Gallium Nitrid (GaN), sowie resistive Gassensoren, die auf aktiven Indiumoxid-Schichten (In2O3) basieren, für...