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Untersuchung der THz-Emission von Silizium in Abhängigkeit von Grenzflächen- und Kristalldefekten

Optical based non-contact measurement techniques are of great importance in semiconductor device characterization. THz emission from optically excited semiconductor interfaces permits the investigation of transport mechanisms and potential barriers at semiconductor interfaces. So far most available studies…

Terahertz-Computer-Tomographie mit Zeitbereichsspektroskopie-Systemen

Diese Arbeit befasst sich mit dem optischen, zerstörungsfreien Verfahren der Terahertz (THz)-Computer-Tomographie (CT). Das Ziel dieser Arbeit ist die Überwindung einzelner physikalisch-technischer Herausforderungen zur Schaffung der Grundlagen für eine Übertragung dieser neuen Technologie in den Industrieeinsatz.…