Neue Entwicklungen im Bereich der Dünnschichtsynthese eröffnen eine Vielzahl neuer Anwendungen von Indiumverbindungen im Bereich der Sensorik und (Opto)-Elektronik. Vor diesem Hintergrund wurden spezielle Aspekte der Eigenschaften von Indiumnitrid (InN), Indiumoxid (In2O3) und Indiumzinnoxinitrid (ITON)…
Diese experimentelle Arbeit untersucht das Phänomen der Licht-induzierten Degradation (LID) in p-dotiertem Silizium mittels Tieftemperaturphotolumineszenzmessungen. Diese Messmethode ermöglicht die qualitative und quantitative Identifizierung von Defekten in Silizium. Weitere verwendete Messmethoden…
Scientific progress is made in understanding photoluminescence (PL) lines in thallium-doped silicon. Two PL lines called A and P, which appear after quenching, are found to exhibit irreversible as well as reversible behavior under the application of light-induced degradation (LID) treatments. The reversible…
The acceptor removal phenomenon (ARP), which hampers the functionality of low-gain avalanche detectors (LGAD), is discussed in frame of the ASi-Sii-defect model. The assumption of fast diffusion of interstitial silicon is shown to be superfluous for the explanation of the BSi-Sii-defect formation under…
Artificial leaves could be the breakthrough technology to overcome the limitations of storage and mobility through the synthesis of chemical fuels from sunlight, which will be an essential component of a sustainable future energy system. However, the realization of efficient solar-driven artificial leaf…
Eines der größten Probleme für dotiertes Silizium, zur Verwendung in Solarzellen, ist der sogenannte Effekt der lichtinduzierten Degradation. Diese Degradation ist von besonderer Bedeutung, da sie die absolute Effizienz einer Solarzelle um bis zu 2% verringern kann. Obwohl dieser Umstand bereits seit…
Die Heteroepitaxie von III-V auf Si und Ge Substraten eignet sich für kostengünstige, qualitativ hochwertige Epitaxieschichten, die eine geeignete Bandlücke für Mehrfachsolarzellen aufweisen. Jedoch ist die III-V-Heteroepitaxie auf diesen Substraten aufgrund von Antiphasengrenzen, die durch polares III-V…
Herein, magnetoelectric microelectromechanical system (MEMS) cantilevers are investigated on basis of a TiN/AlN/Ni laminate derived from experimental sensors using finite-element simulations. With the anisotropic ΔE effect as an implication of the magnetocrystalline anisotropy, the lateral sensitivity…
Diese Arbeit verwendet ein kombiniertes STM-AFM, das bei extremniedrigen Temperaturen und unter UHV betrieben wird. Im ersten Teil dieser Arbeit habe ich die strukturellen und elektronischen Eigenschaften von Graphen auf SiC(0001) untersucht. Die Korrelation zwischen den gebundenen Grenzflächenzuständen…
Lichtinduzierte Degradation kann die Effizienz von Bauelementen aus Bor- oder Indium-dotiertem Czochralski-Silizium wie beispielsweise Solarzellen oder Strahlungsdetektoren um mehr als 1 %abs verringern. Obwohl diese lichtinduzierte Degradation seit etwa 4 Jahrzehnten bekannt ist, gibt es weiterhin einen…
Light-induced degradation (LID) in boron-doped Czochralski grown (CZ) silicon is a severe problem for silicon devices such as solar cells or radiation detectors. Herein, boron-doped CZ silicon is investigated by low-temperature photoluminescence (LTPL) spectroscopy. An LID-related photoluminescence peak…
The ASi-Sii defect model as one possible explanation for light-induced degradation (LID) in typically boron-doped silicon solar cells, detectors, and related systems is discussed and reviewed. Starting from the basic experiments which led to the ASi-Sii defect model, the ASi-Sii defect model (A: boron,…
Low-gain avalanche detectors (LGAD) suffer from an acceptor removal phenomenon due to irradiation. This acceptor removal phenomenon is investigated in boron, gallium, and indium implanted samples by 4-point-probe (4pp) measurements, low-temperature photoluminescence spectroscopy (LTPL), and secondary…
Von modernen Lautsprechern wird erwartet, dass sie klein und leicht sind und dennoch hohe Klangqualität und Pegel liefern. Hohe Pegel können zu einem thermischen Versagen des Lautsprechers führen, was die Verwendung eines thermischen Limiters erforderlich macht. Um den thermischen Sicherheitsspielraum…
In der vorliegenden Arbeit wird das Wachstum der zweidimensionalen Materialien Graphen und hexagonales Bornitrid (h-BN) auf den beiden metallischen Oberflächen Pt(lll) und Ru(000l), sowie die Interaktion eines organischen Moleküls mit diesen Probenoberflächen, mit Hilfe eines Rastertunnelmikroskops untersucht.…
In der vorliegenden Dissertation wurden die Schwerpunkte des Wachstums auf semi-isolierendem 6H-SiC, der Schicht- als auch der Bauelementecharakterisierung auf Basis von epitaktischem Graphen behandelt. Die Schichten wurden mittels REM, AFM, LEED, XPS und ARPES untersucht. Anhand von REM Aufnahmen wurde…
Die Bestimmung von Faktoren, welche die Kinetik von photokatalytischen Prozessen beeinflussen und das Nachvollziehen von deren Funktion in Übergangsmetalloxiden, ist das Hauptthema beim Design von effizienten Materialien. Vorhergehende Studien haben gezeigt, dass Punktdefekte wie zum Beispiel Substitutionsatome,…
In2O3 is an n-type transparent semiconducting oxide possessing a surface electron accumulation layer (SEAL) like several other relevant semiconductors, such as InAs, InN, SnO2, and ZnO. Even though the SEAL is within the core of the application of In2O3 in conductometric gas sensors, a consistent set…
HEMTs (high electron mobility transistors) auf GaN-Basis besitzen großes Potenzial für die HF- (Hochfrequenz) und Leistungselektronik und werden bereits in HF-Leistungsverstärkern und als Leistungsschalter verwendet. Üblicherweise sind GaN HEMTs Normally-On Transistoren (d.h. Transistoren, die sich bei…