In dieser Arbeit wurden die binären III-V-Halbleiter GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, und InSb, sowie die ternären Mischverbindungen (In,Ga)P und (In,Ga)As mithilfe temperaturabhängiger EXAFS-Messungen untersucht. Für die Mischverbindungen wurden die elementspezifischen effektiven Kraftkonstanten für das…