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Effect of inelastic ion collisions on low-gain avalanche detectors explained by an ASi-Sii-defect mode

The acceptor removal phenomenon (ARP), which hampers the functionality of low-gain avalanche detectors (LGAD), is discussed in frame of the ASi-Sii-defect model. The assumption of fast diffusion of interstitial silicon is shown to be superfluous for the explanation of the BSi-Sii-defect formation under…
Amsterdam: Elsevier, 2024-07-29

Investigation of properties of the P-line with respect to the ASiSii-defect

Eines der größten Probleme für dotiertes Silizium, zur Verwendung in Solarzellen, ist der sogenannte Effekt der lichtinduzierten Degradation. Diese Degradation ist von besonderer Bedeutung, da sie die absolute Effizienz einer Solarzelle um bis zu 2% verringern kann. Obwohl dieser Umstand bereits seit…