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4 Dokumente gefunden

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Artikel / AufsatzAlle Rechte vorbehaltenFr., 24. Juli. 2009

Origin of n-type conductivity in nominally undoped InN

Cimalla, Volker ^GND / Lebedev, Vadim ^GND / Morales, Francisco M. / et.al.

aus: Information technology and electrical engineering - devices and systems, materials and technologies for the future

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Artikel / AufsatzAlle Rechte vorbehaltenFr., 24. Juli. 2009

Impact of device processing on the surface properties and the biocompatibility of AlGaN/GaN HEMT sensors

Cimalla, Irina ^GND / Will, Florentina / Tonisch, Katja ^GND / et.al.

aus: Information technology and electrical engineering - devices and systems, materials and technologies for the future

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Artikel / AufsatzAlle Rechte vorbehaltenFr., 17. Juli. 2009

AlGaN/GaN-sensors for monitoring of enzyme activity by pH-measurements

Kittler, Gabriel / Spitznas, Armin / Lübbers, Benedikt / et.al.

aus: Information technology and electrical engineering - devices and systems, materials and technologies for the future

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Artikel / AufsatzFr., 07. Juli. 2006

Dielectric function and critical points of the band structure for hexagonal and cubic GaN and AlN

Goldhahn, Rüdiger ^GND / Buchheim, Carsten / Lebedev, Vadim ^GND / et.al.

weitere beteiligte Personen: Dr. Andreas Hangleiter Stefan Potthast Donald J. As