The acceptor removal phenomenon (ARP), which hampers the functionality of low-gain avalanche detectors (LGAD), is discussed in frame of the ASi-Sii-defect model. The assumption of fast diffusion of interstitial silicon is shown to be superfluous for the explanation of the BSi-Sii-defect formation under…
Lichtinduzierte Degradation kann die Effizienz von Bauelementen aus Bor- oder Indium-dotiertem Czochralski-Silizium wie beispielsweise Solarzellen oder Strahlungsdetektoren um mehr als 1 %abs verringern. Obwohl diese lichtinduzierte Degradation seit etwa 4 Jahrzehnten bekannt ist, gibt es weiterhin einen…
Light-induced degradation (LID) in boron-doped Czochralski grown (CZ) silicon is a severe problem for silicon devices such as solar cells or radiation detectors. Herein, boron-doped CZ silicon is investigated by low-temperature photoluminescence (LTPL) spectroscopy. An LID-related photoluminescence peak…