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Untersuchung von Defektreaktionen in Silicium mittels Ladungsträger-Lebensdauer-Spektroskopie

In dieser Arbeit werden die Grundlagen der Temperatur- und Injektionsabhängigen Lebensdauerspektropie (T-IDLS) erläutert, welche eine extrem sensitive Methode der Materialcharakterisierung von Halbleitern ist. Anschließend werden diese auf gezielt mit Eisen, Kupfer und Nickel kontaminierte Modellmaterialien…

New silicion nanocrystal materials for photovoltaic applications

This Ph.D. thesis addresses the deposition, characterization and improvement of Si nanocrystal layers embedded in a SiC matrix (Si NC/SiC) as future absorber material for top cells of an all-Si tandem solar cell. The required enlargement of the Si NC bandgap is aimed to achieve with the help of quantum…