One of the major problems for doped silicon used for solar cells is the effect called light induced degradation, since it can reduce the absolute effciency by up to 2 %. Despite being known for over four decades the actual defect structure neither for boron, indium nor gallium-doped silicon are known with certainty. Different defect models have been introduced like boron-oxygen or the ASiSii-defect. Further it was shown that a photoluminescence feature called P-line shows correlation to applied illumination and annealing. Therefore in this work this correlation is investigated in more detail. Furthermore the ASiSii-defect model is substantiated, by supplying an energy barrier calculated from measurements.
Eines der größten Probleme für dotiertes Silizium, zur Verwendung in Solarzellen, ist der sogenannte Effekt der lichtinduzierten Degradation. Diese Degradation ist von besonderer Bedeutung, da sie die absolute Effizienz einer Solarzelle um bis zu 2% verringern kann. Obwohl dieser Umstand bereits seit vier Jahrzehnten bekannt ist, gibt es weiterhin einen wissenschaftlichen Diskurs über die tatsächliche Defektstruktur für Bor, Indium und Gallium dotiertes Silizium. Verschiedene Modelle wurden vorgeschlagen, wie der Bor-Sauerstoff Defekt oder der ASiSii-Defekt. Weiterhin wurde gezeigt, dass eine Photolumineszenzlinie, die sogenannte P-Linie, eine Korrelation zu angewandter Beleuchtung oder Temperierung zeigt. Diese Arbeit widmet sich daher ausführlicher dieser Korrelation. Zusätzlich kann das ASiSii-Defektmodell weiter präzisiert werden, indem eine Energiebarriere, aus den Messungen berechnet, auf das Modell angewendet werden kann.
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