Die mit dem technischen Fortschritt eng verbundene Miniaturisierung von elektronischen Bauteilen wird durch Quanteneffekte im Nanometerbereich begrenzt, sodass die konventionelle Halbleitertechnologie in naher Zukunft an ihre physikalischen Grenzen stößt. Als technologische Alternative scheinen Hybridsysteme aus null- (0D), ein- (1D) und zweidimensionalen (2D) Nanostrukturen besonders vielversprechend zu sein. Die vorliegende Arbeit präsentiert die Hybridisierung von 1D-Halbleiternanodrähten aus Zinkoxid, sowohl mit exfolierten 2D-Übergangsmetall-Dichalkogeniden (TMDs) aus Molybdändisulfid und -diselenid als auch mit 0D-Molekülen des Perylenmonoimid-Farbstoffs CN4-PMI. Zur Analyse der Hybridisierungseffekte werden Änderungen der zum Lasing der Nanodrähte nötigen Threshold-Intensität sowie Verschiebungen der Laserwellenlänge der Drähte untersucht. Die Effekte werden in Abhängigkeit von der Herstellungsmethode der 2D-TMDs (CVD-Wachstum/Exfolierung), vom TMD-Material (MoS2/MoSe2), von der Lagenanzahl der TMDs und von der Menge des aufgebrachten Farbstoffs betrachtet. Die Beobachtungen werden mit der Bildung von Typ-I- bzw. Typ-II-Heterostrukturen und einem daraus resultierenden Ladungsträgertransfer in Zusammenhang gebracht.