@PhdThesis{dbt_mods_00020722,
  author = 	{Weis Dr.-Ing., Christoph},
  title = 	{Single Ion Impact Detection {\&} Scanning Probe Aligned Ion Implantation for Quantum Bit Formation},
  year = 	{2012},
  month = 	{Jul},
  day = 	{17},
  keywords = 	{single ion implantation - single ion impact detection - scanning probe aligned ion beams - quantum bit formation - nitrogen-vacany centers  quantum computing  silicon  diamond  metal ion source  deterministic doping},
  abstract = 	{Daten- und Informationsverarbeitung via Quantencomputer ist ein viel
versprechender Ansatz, um die klassische Art und Weise via Digitalrechner,
welche sich fundamentalen physikalischen Grenzen ann{\v{S}}hern, zu ersetzen.
Anstelle von klassischen Bits werden Quantenbits (Qubits) f{\"{Y}}r
Rechenoperationen verwendet. Aufgrund quantenmechanischer Ph{\v{S}}nomene wie
Superposition und Verschr{\v{S}}nkung, wird die Informationsverarbeitung in einer
ganz anderen Art und Weise umgesetzt und eine Leistungssteigerung f{\"{Y}}r
bestimmte Aufgabenstellungen erreicht. Es gibt verschiedene Vorschl{\v{S}}ge zur
technischen Umsetzung von Quanten-Bits. Unter ihnen sind Elektronen- oder
Kernspins von Defektstellen in Festk{\v{s}}rpern. Zwei solche Kandidaten mit
Spinfreiheitsgraden sind einzelne Donatoren in Silizium und Stickstoff
Fehlstellen (NV) Zentren in Diamant. Beide Qubit-Kandidaten besitzen
aussergew{\v{s}}hnliche Eigenschaften, welche sie zu vielversprechenden
Bausteinen machen. Neben gewissen Vorteilen verbindet die beiden Qubits
auch die Notwendigkeit, diese pr{\v{S}}zise in ihren Tr{\v{S}}germaterialien und
Bauelementstrukturen zu platzieren. Eine h{\v{S}}ufig verwendete Methode, die
Fremdatome in die Substratmaterialien einzubringen, ist die
Ionenimplantation. Hierf{\"{Y}}r k{\v{s}}nnen fokussierte Ionenstrahl-Systeme verwendet
werden, oder Kollimationstechniken, wie in dieser Arbeit. Ein ausgedehnter
Ionenstrahl trifft die R{\"{Y}}ckseite einer Rastersondenmikroskopspitze mit
integrierten {\ldots}ffnungen. Das Rastersondenmikroskop erm{\v{s}}glichen die
zerst{\v{s}}rungsfreie und hochaufl{\v{s}}sende Abbildung von Bauteilstrukturen und die
Platzierung der Rastersondenmikroskopspitze, und damit des kollimierten
Ionenstrahls, um ausgew{\v{S}}hlte Regionen zu implantieren. In der vorgelegten
Arbeit wird diese Technik angewendet und weiterentwickelt, um notwendige
Pr{\v{S}}zisionskriterien zu erf{\"{Y}}llen. Die Platzierung des Ionenstrahls auf
Bauelementstrukturen, welche empfindsam auf Ionenbombardement reagieren und
damit Detektoren darstellen, wurde demonstriert. Die gleiche Technik wird
auch zur Anordnung von NV-Zentren in Diamantsubstraten verwendet. Des
weiteren werden einzelne Ioneneinschl{\v{S}}ge in Siliziumbauteilen erfasst,
wodurch das gezielte Dotieren Ion f{\"{Y}}r Ion erm{\v{s}}glicht wird.},
  url = 	{https://www.db-thueringen.de/receive/dbt_mods_00020722},
  url = 	{http://uri.gbv.de/document/gvk:ppn:719791065},
  file = 	{:https://www.db-thueringen.de/servlets/MCRZipServlet/dbt_derivate_00025853:TYPE},
  language = 	{en}
}