Atomlagenabscheidung dünner transparenter leitfähiger Metalloxidschichten und Anwendung in einer nanostrukturierten Halbleiter-Isolator-Halbleiter Solarzelle : Herstellung und Charakterisierung

Talkenberg, Florian GND

Die Atomlagenabscheidung (engl. „Atomic Layer Deposition“, ALD) ist ein chemisches Abscheideverfahren zur Herstellung dünner Schichten. Der selbstlimitierende Prozess dieses Verfahrens ermöglicht es, Schichtdicken von einer Monolage (~0,1 nm) bis zu mehreren Mikrometern zu erzielen. Das ALD-Verfahren stellt eine Möglichkeit dar, transparente leitfähige Oxidschichten (TCO) wie aluminiumdotiertes Zinkoxid (AZO) herzustellen. Hierzu wird in dieser Arbeit die Anpassung der Prozessparameter für die Abscheidung von Aluminiumoxid und Zinkoxid mit ALD beschrieben. Die hergestellten Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-, ZnO- und AZO-Schichten werden auf ihre Struktur und Zusammensetzung sowie ihre optischen und elektrischen Eigenschaften hin untersucht. Als Anwendung werden das Konzept und Untersuchungen an einer nanostrukturierten Halbleiter-Isolator-Halbleiter Solarzelle vorgestellt.

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Talkenberg, Florian: Atomlagenabscheidung dünner transparenter leitfähiger Metalloxidschichten und Anwendung in einer nanostrukturierten Halbleiter-Isolator-Halbleiter Solarzelle. Herstellung und Charakterisierung. Jena 2011.

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