000K  utf8
0100  559675453
1100  $c2007
1500  ger
2050  urn:nbn:de:gbv:27-20080311-100001-3
3000  Cieslak, Janko
4000  Epitaxie von Cu(In,Ga)S2 auf Si-Substraten  [Cieslak, Janko]
4060  112 Seiten
4209  Ziel der Arbeit war es, epitaktische Schichten des für die Optoelektronik interessanten Chalkopyrithalbleiters Cu(In,Ga)S2 herzustellen und diese strukturell zu untersuchen. Zur Herstellung der Schichten kam die Molekularstrahlepitaxie zum Einsatz. Als Untersuchungsmethoden wurden die Rutherfordrückstreuung (RBS), die hochaufgelöste Transmissionselektronenmikroskopie (HRTEM), die Beugung hochenergetischer Elektronen in Reflexion (RHEED), die Feinbereichselektronenbeugung (SAED) und die Röntgenbeugung (XRD) eingesetzt. Die Epitaxie von Cu(In,Ga) 2 auf Si(111) und CuInS2 auch auf Si(001) wurde erfolgreich nachgewiesen. Die chemische Zusammensetzung der epitaktischen Schichten wurde ermittelt in dessen Abhängigkeit die Mikrostruktur, das Phänomen der Verzwilligung, das Auftreten metastabiler Ordnungstypen aufgeklärt wurde und die Gitterkonstanten bestimmt wurden. Dabei konnte der Punkt ermittelt werden, bei dem die bestmögliche Gitteranpassung von epitaktischer Schicht an das Si-Substrat eintritt.
4950  https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:27-20080311-100001-3$xR$3Volltext$534
4961  http://uri.gbv.de/document/gvk:ppn:559675453
5051  530
5550  Dünne Schicht
5550  Kristallfläche
5550  Kupferkies
5550  Molekularstrahlepitaxie
5550  Silicium