@PhdThesis{dbt_mods_00004268,
  author = 	{Scheidt Dr. rer. nat., Torsten},
  title = 	{Charge carrier dynamics and defect generation at the Si/SiO2 interface proped by femtosecond optical second harmonic generation},
  year = 	{2005},
  month = 	{Jul},
  day = 	{05},
  keywords = 	{Silicium-Siliciumdioxid-Grenzfl{\"a}che; Frequenzverdopplung},
  abstract = 	{Die Erzeugung der optischen zweiten Harmonischen (Second Harmonic Generation (SHG)) mit Hilfe von nahinfraroten Femtosekunden-Laserimpulsen wird verwendet um die Dynamik von Ladungstr{\"a}gerseparationsprozessen sowie die Defektgeneration an der Si/SiO2-Grenzfl{\"a}che zu untersuchen. Im einzelnen weisen die zeitabh{\"a}ngigen SHG Messungen an nat{\"u}rlich gewachsenen Si/SiO2-Schichten f{\"u}r Laserintensit{\"a}ten > 45 GW/cm2 auf einen Beitrag von photoangeregten L{\"o}chern zum feldinduzierten SHG-Signal hin (Electric Field Induced Second Harmonic (EFISH)). Mit Hilfe der systematischen Untersuchung der zeitlichen EFISH-Entwicklung unter Dunkelbedingungen wird die charakteristische Entv{\"o}lkerungszeit von photoinduzierten Lochfallen bestimmt, sowie die Elektron- und Loch-Dynamiken des EFISH-Signals entfaltet. EFISH-Messungen an hoch Bor-dotiertem p+-Si/SiO2 zeigen ein internes elektrisches Feld, dessen Gr{\"o}{\ss}e von der Dotierungskonzentration abh{\"a}ngt und das auf ionisierte Grenzfl{\"a}chenzust{\"a}nde zur{\"u}ckgef{\"u}hrt wird. Mit bildgebenden SHG-Verfahren werden UV-Exzimer-Laserinduzierte Defektstellen in Si/SiO2 visualisiert und die Schmelzschwelle f{\"u}r grenzfl{\"a}chennahes Silizium bestimmt. Zusammenfassend tragen die Ergebnisse dieser Dissertation zu einem genaueren und tieferen Verst{\"a}ndnis der Ladungstr{\"a}gerseparations- und Defekterzeugungsprozesse an der technologisch bedeutsamen Si/SiO2-Grenzschicht bei.},
  url = 	{https://www.db-thueringen.de/receive/dbt_mods_00004268},
  file = 	{:https://www.db-thueringen.de/servlets/MCRFileNodeServlet/dbt_derivate_00006641/Diss_Torsten_Scheidt.pdf:PDF},
  language = 	{en}
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