Defektspektroskopie an Seltenen Erden in Siliziumkarbid

Pasold, Gunnar GND

Die Methode der Wahl zur Charakterisierung tiefer Störstellen in der Bandlücke von Halblei-tern ist die in dieser Arbeit angewendete Deep-Level-Transient-Spectroscopy (DLTS). Ein-deutige Zuordnung von untersuchten Zuständen zu einzelnen Elementen gelingt mit Hilfe der Radiotracer-Technik: die mit der Elementtransmutation einhergehende typische Konzentrati-onsänderung führt zu kennzeichnenden Amplitudenveränderungen in den Spektren. Die speziellen Eigenschaften prädestinieren Siliziumkarbid (SiC) zum Material für Anwen-dungen unter widrigsten Bedingungen sowie für Hochspannungs- und Hochfrequenzbauele-mente. Der Einbau von Seltenen Erden in diese Matrix macht SiC als indirektes Halbleiter-material auch für die Optoelektronik interessant. Die vorgestellten Ergebnisse zu den Elemen-ten Erbium, Europium, Gadolinium und Samarium stellen den ersten verlässlichen Datensatz Selten Erd korrelierter Energieniveaus in 4H- und 6H-SiC dar und bieten eine Grundlage zum Verständnis des bisher noch ungeklärten Energietransfers vom Gitter auf die optisch aktiven Zentren.

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Pasold, Gunnar: Defektspektroskopie an Seltenen Erden in Siliziumkarbid. 2005.

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