Diese Arbeit beschäftigt sich mit der transmissions-elektronenmikroskopischen Untersuchung zur Gitterplatz-besetzung von Fremdatomen im Halbleiter Siliziumkarbid (SiC). Dabei kommen die TEM-Methoden ALCHEMI (Atomic Location by CHanneling Enhanced MIcroanalysis) und CBED (Convergent Beam Electron Diffraction) zum Einsatz. Zusätzlich werden Modelle entworfen und nach der Simulation mit den experimentellen Ergebnissen verglichen. Die Gitterplatz-besetzung und der Einfluss auf das Kristallgitter von drei Arten von Fremdatomen wurden dabei untersucht: p-Dotierung mit Aluminium, n-Dotierung mit Phosphor und isovalente Dotierung mit Germanium. Die dargelegten Ergebnisse ermöglichen die Bestimmung der Gitterplatzbesetzung auf nanoskaliger Ebene für Dotierungskonzentrationen kleiner 1 at% und Interpretation der experimentellen Resultate durch begleitende Simulationen.